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NDK振蕩器室溫下的頻率差異

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瀏覽:- 發布日期:2019-08-30 09:28:41【
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日本電波工業株式會社NDK晶振公司成立于1948年,是"世界第二大"石英晶振元器件生產企業,是行業中的翹楚,從成立到至今,已經給市場以及各種電子產品行業提供了不計其數的晶振元器件,NDK所生產的產品均具備耐高溫,耐惡劣環境等特點,也是各大汽車廠商指定的供應商之一.下面康比電子整理有有關NDK振蕩器的頻率差異.

振蕩頻率的差異概述

這一次,我將概述振蕩頻率的差異.基于安裝在用于電路研究的電路板上的晶振單元的振蕩頻率(具有指定的負載電容CL),找到安裝在目標板上時與振蕩頻率的偏差.偏差量稱為"振蕩頻率差".

1.室溫下的頻率差異

首先,我們將在此解釋常溫條件下振蕩頻率的差異.振蕩頻率的差異由等式dF/F表示.振蕩頻率的差異的細節如下.(有關每個符號的內容,請參見下文.)

NDK振蕩器室溫下的頻率差異

dF:電路上的石英晶體振蕩器振蕩頻率與參考頻率

F之間的差值:參考頻率

a:指定負載電容下的晶體振蕩器振蕩頻率CL

b:電路上的晶體振蕩器振蕩頻率

應注意,標準F(等式(1)中的a的數字)不是標稱頻率.

以下是振蕩頻率的差異如何根據參考F是a還是標稱頻率而不同的示例.

晶體振蕩器標稱頻率:25.000000MHz

a:25.000100MHz

b:25.000075MHz在上述情況下,振蕩頻率的差異如下.

(A):當參考F為a時:(B):當參考F為標稱頻率時:NDK振蕩器在電路研究中使用的振蕩頻率的差值為(A).

NDK振蕩器室溫下的頻率差異

2.考慮頻率容差時

考慮到晶體單元的乘積之間的頻率變化,即室溫下的頻率容差,為了知道振蕩頻率的準確性,使用通過方法①獲得的值.添加單項的頻率容差.在考慮產品之間的頻率變化的條件下振蕩頻率的精度由等式(2)表示.

NDK振蕩器室溫下的頻率差異

(例1)

•振蕩頻率差:+10ppm

•單晶單元的頻率容差:±30ppm以內•②代入+10ppm±30ppm=-20ppm~+40ppm

3.在考慮頻率容差和頻率溫度特性時為了在考慮NDK振蕩器產品之間的頻率變化的同時知道溫度變化時振蕩頻率的準確性,僅將石英晶振單元的頻率溫度特性加到通過方法②獲得的值.你.考慮到產品之間的頻率變化,在溫度改變的條件下振蕩頻率的精度由等式(3)表示.

NDK振蕩器室溫下的頻率差異

(例2)

•振蕩頻率差:10ppm

•單晶單元的頻率容差:±40ppm以內•單晶單元的頻率溫度特性:±50ppm以內(保證工作溫度范圍內)

•代入③然后,-10ppm±40ppm±50ppm=-100ppm至+80ppm

晶體元器件主要應用于鐘表和通信設備等領域,但隨著微型計算機的應用,它們已經被廣泛地用于包括數碼家電,汽車,移動電話和智能手機等各個領域.之后,隨著智能手機市場的成熟化,全球晶體市場規模已趨于飽和,因此,持續在惡劣的環境中艱難前行.另一方面,在汽車行業,由于ADAS等電氣化率上升,汽車行業對車載晶振元器件的需求逐年增加,目前我們公司汽車行業的銷售額占總量的近50%. 預計,未來汽車用晶體的需求將穩步增長,成為我們事業的支柱.


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