如何確定晶振負載電容值的計算方程式

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瀏覽：- 發(fā)布日期：2018-09-28 17:15:46【大中小】

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眾多五花八門的和黑科技以及智能化,高科技等產(chǎn)品的出現(xiàn)都是源自于電子元件所提供的基本性能,從電子元件到形成個一個成品當然需要很多的工序,當然最開始的設計需要了解一些電子元件的基本性能才能知道是否適合使用在產(chǎn)品中,就拿我們的晶振元件來說,首先最基本的是要了解到它的頻率,是選用MHZ晶振還是32.768K,其次精度（ppm）,再者是負載電容（PF）.而該篇文章主要就深入了解負載電容.

負載電容:參考了“特定負載電容”。負荷電容可以描述為“測量或計算的電容值，存在于振蕩器電路，通過晶體的連點”.在串聯(lián)諧振電路的情況下，存在石英晶振單元的連接點之間不存在電容，因此也不存在負載電容不需要對串聯(lián)諧振晶體單元進行說明。在并聯(lián)諧振振蕩器的情況下電路中，電容是存在的。由于電容的直接尺寸是不合理的，所以它經(jīng)常需要計算值。負載電容值的計算是用下列方程式:

其中CL1和CL2是晶振負載電容，Cs是電路漂移電容，通常為3.0到5.0pf
必須注意，負載電容值的變化將導致輸出的變化石英晶體振蕩器的頻率。因此，需要精確的頻率控制，然后需要精確的規(guī)格需要負載電容。為了證明，假設晶體單元被指定在頻率為20.000MHz，容量為20.0 pF。假設晶體單元隨后被放置在評估值為30.0pF的電路。晶體單元的頻率將會更低超過指定的值。相反，如果有關電路給出10.0pF的評估；頻率將高于指定值。和負載電容之間的關聯(lián)是如下所示。