GXO-U119J/BI-48MHz,OSC有源晶振,Golledge振蕩器,3225貼片晶振,GXO-U119J晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

GXO-U119J/BI-48MHz,OSC有源晶振,Golledge振蕩器,3225貼片晶振,GXO-U119J晶振 該晶振具備出色的頻率穩(wěn)定性和抗干擾能力。在復(fù)雜的電磁環(huán)境中，它能有效抵御外界干擾，減少頻率波動(dòng)；面對(duì)溫度、濕度等環(huán)境因素的變化，也能保持穩(wěn)定的性能。無論是在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ旁O(shè)備中，還是對(duì)時(shí)鐘精度要求極高的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)里，GXO-U119J 晶振都能憑借其卓越的性能，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，提升整體工作效率。

產(chǎn)品詳情

GXO-U119J/BI-48MHz,OSC有源晶振,Golledge振蕩器,3225貼片晶振,GXO-U119J晶振

小型石英貼片晶振特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求。

在電子設(shè)備對(duì)高精度時(shí)鐘信號(hào)需求與日俱增的今天，Golledge晶振的 GXO-U119J/BI-48MHz 有源晶振表現(xiàn)卓越。它采用 3225 貼片封裝，這種小巧的設(shè)計(jì)高度契合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)，能輕松融入各類緊湊的電路板中。作為 OSC晶振，它自帶起振電路，無需復(fù)雜的外部電路支持，就能穩(wěn)定且精準(zhǔn)地輸出 48MHz 的頻率信號(hào)，為電子設(shè)備提供可靠的時(shí)鐘基準(zhǔn)。
該有源貼片晶體具備出色的頻率穩(wěn)定性和抗干擾能力。在復(fù)雜的電磁環(huán)境中，它能有效抵御外界干擾，減少頻率波動(dòng)；面對(duì)溫度、濕度等環(huán)境因素的變化，也能保持穩(wěn)定的性能。無論是在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ旁O(shè)備中，還是對(duì)時(shí)鐘精度要求極高的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)里，GXO-U119J 晶振都能憑借其卓越的性能，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，提升整體工作效率。

GXO-U119J/BI-48MHz,OSC有源晶振,Golledge振蕩器,3225貼片晶振,GXO-U119J晶振

頻率范圍	1.8 ~ 170兆赫
尺寸	3.2 x 2.5 x 1.1 毫米
儲(chǔ)存溫度范圍	-55 至 +125°C
電源電壓（VDD 系列)	+2.5V （±5%）
電源電流	最大 12mA （1.8 ~ 50.0MHz）
電源電流	最大 30mA （>50.0 ~ 170MHz）
邏輯電平	“0”電平 = 10%VDD 系列最大
邏輯電平	“1”電平 = 90%VDD 系列分鐘
啟動(dòng)時(shí)間	最大 5ms
波形對(duì)稱性	最大 45：55 @ 50%VDD 系列
駕駛能力	15pF CMOS
上升/下降時(shí)間	最大 6ns
啟用/禁用功能	三態(tài)（通過焊盤 1 控制）
待機(jī)電流	最大 10μA

GXO-U119J/BI-48MHz,OSC有源晶振,Golledge振蕩器,3225貼片晶振,GXO-U119J晶振

所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍。